通富微电公司高管_通富微电sz002156企业股东
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通富微电(sz002156) - 公司高管

姓名:严晓建 性别: 出生年份: 1964 教育背景: 博士
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
严晓建:男,中国国籍,1964年出生,博士、高级会计师、客座教授、中国注册资产评估师、英国皇家特许测量师。中联造价咨询有限公司董事长、总经理,中联资产评估集团有限公司副总经理。江苏铁锚玻璃股份有限公司、上海康恒环境股份有限公司、武汉地质资源环境工业技术研究院有限公司独立董事。2009年12月起至今担任通富微电独立董事。
姓名:仲美玲 性别: 出生年份: 1950 教育背景: 中专
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
仲美玲,女,中国国籍,无境外永久居留权,生于一九五零年二月,中专学历。1970年4月至1997年3月任职南通晶体管厂,1997年3月至1997年9月任职华达微,1997年10月起至今任职本公司,历任制造部副部长、制造部部长、监事。现任本公司监事会主席、制造总监、职工代表监事。仲美玲女士在半导体生产、管理方面具有37年的工作经验。
姓名:八重樫郁雄 性别: 出生年份: 1958 教育背景: --
国籍: 日本 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
八重樫郁雄:男,日本国籍。现任株式会社TeraProbe会津的董事。2014年12月起至今担任公司董事。
姓名:刘剑文 性别: 出生年份: 1959 教育背景: 博士后
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
刘剑文,男,中国国籍,1959年出生,法学博士、法学博士后。1997年7月至今为北京大学法学院教授、博士生导师。现任大唐高鸿数据网络技术股份有限公司、江苏安靠智能输电工程科技股份有限公司、普莱柯生物工程股份有限公司、河南华丽纸业包装股份有限公司独立董事。2009年12月起至今担任通富微电独立董事。
姓名:刘志耕 性别: 出生年份: 1963 教育背景: 本科
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
刘志耕:男,中国国籍,1963年出生,无境外永久居留权,大学本科学历,中国注册会计师,高级会计师,高级审计师。现任文峰大世界连锁发展股份有限公司总审计师。刘志耕先生已取得中国证监会认可的独立董事资格证书,具有履行独立董事职责的能力。2015年12月起至今担任公司独立董事。目前兼任南通江天化学股份有限公司独立董事、江苏镇江建筑科学研究院集团股份有限公司独立董事、江苏华灿电讯集团股份有限公司独立董事、江苏捷捷微电子股份有限公司独立董事。
姓名:后藤信 性别: 出生年份: 1958 教育背景: 本科
国籍: 日本 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
后藤信,男,日本国籍,1958年1月出生,大学学历。1980年至1988年,在富士通株式会社半导体事业部从事财务业务,1988年至1993年,在FujitsuMicroelectronics,IncGresham工厂任财务课长,1993年至2003年,在富士通株式会社电子元件部事业推进部历任课长、部长,2003年至2009年,在SpansionJAPAN历任事业推进统括部部长、CSI事业部本部长,2009年至今,在富士通微电子株式会社任执行董事、经营推进部本部长。
姓名:吕玉梅 性别: 出生年份: 1988 教育背景: --
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
吕玉梅:女,中国国籍。历任上海市方达(北京)律师事务所律师助理、华芯投资管理有限责任公司风险管理部经理、风险管理部高级经理。2021年1月起至今担任公司监事。
姓名:堀仁 性别: 出生年份: 1960 教育背景: 本科
国籍: 日本 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
堀仁,男,日本国籍,1960年9月21日出生,大学毕业。现任富士通半导体技术株式会社代表取缔役社长。2013年7月起至今担任南通富士通微电子股份有限公司董事。
姓名:夏鑫 性别: 出生年份: 1965 教育背景: 本科
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
夏鑫:男,1965年出生,无境外永久居留权,大学本科学历,高级工程师,中国国籍。1997年10月起至今任职于公司,历任营业部副部长、部长、总经理助理、副总经理。现任公司董事、副总经理。
姓名:大竹浄 性别: 出生年份: 1952 教育背景: 高中
国籍: 日本 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
大竹浄,男,日本国籍,1952年8月出生,高中学历,1971年至1992年在富士通株式会社半导体部门从事信赖性技术品质保证业务,1992年至1999年担任富士通株式会社半导体部门信赖性技术课长、wp制作课长、生产技术课长,1999年至2003年历任富士通东北电子株式会社(FTE)装配制造、试验、生产技术的各部门部长、事业部长代理,2003年至今历任富士通集成电路微科技株式会社(FIM)会津工厂厂长代理、执行董事、系统LSI事业(宫城工厂的装配和会津工厂的试验)的执行责任和生产技术统括部负责人,现任富士通集成电路微科技株式会社执行董事、系统LSI制造统括部长、宫城工厂厂长。
姓名:庄振铭 性别: 出生年份: 1967 教育背景: 硕士研究生
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
庄振铭:男,中国台湾籍,1967年出生,硕士学历。1995年7月至2005年1月,在日月光高雄担任处长;2005年1月至2013年1月,在日月光上海担任资深处长;2013年1月至2015年10月,担任绍兴宏邦电子公司总经理一职。2015年10月2日起任职于本公司,为南通通富微电子有限公司负责人。
姓名:张卫 性别: 出生年份: 1968 教育背景: 博士研究生
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
张卫,男,中国国籍,1968年出生,教授、博士生导师、研究生学历(博士)。现任复旦大学微电子学院院长。主要从事集成电路工艺、微细加工技术和半导体器件研究。目前担任上海市战略性新兴产业科技创新推进专家委员会专家、中国集成电路封测产业链技术创新联盟理事、中国集成电路材料产业技术创新战略联盟理事、复旦大学第六届学术委员会委员、沈阳拓荆科技有限公司独立董事。张卫已取得中国证监会认可的独立董事资格证书,具有履行独立董事职责的能力。2014年9月起至今担任公司独立董事。
姓名:张昊玳 性别: 出生年份: 1988 教育背景: 硕士研究生
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
张昊玳:女,中国国籍,1988年出生,无境外永久居留权,硕士研究生学历。现任华芯投资管理有限责任公司投资三部项目投资经理,历任中航国际航空发展有限公司转包财务处主管。2018年5月起至今担任公司董事。
姓名:张洞 性别: 出生年份: 1951 教育背景: 大专
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
张洞:男,中国国籍,1951年出生,无境外永久居留权,大专学历。1997年10月至今任职于公司,历任动力工程部部长、审计部部长、监事会主席。现任公司审计部部长,公司监事会主席。
姓名:张理 性别: 出生年份: 1989 教育背景: 硕士研究生
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
张理:女,中国国籍,无境外永久居留权,2012年6月获英国巴斯大学(UniversityofBath)金融与会计学士及荣誉学士学位,2013年12月获英国伦敦大学学院(UniversityCollegeLondon)硕士学位。现任华芯投资管理有限责任公司风险管理部经理,历任平安银行股份有限公司私人银行事业部天津分中心风险经理。2021年4月起至今担任公司监事。
姓名:戴玉峰 性别: 出生年份: 1954 教育背景: 大专
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
戴玉峰:女,中国国籍。1954年出生,大专学历。1997年3月起至今任职于南通华达微电子集团股份有限公司,现任南通华达微电子集团股份有限公司监事。2002年12月起至今担任公司监事。
姓名:斉藤隆一 性别: 出生年份: 1963 教育背景: --
国籍: 日本 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
斉藤隆一,男,日本国籍,1963年11月5日出生,毕业于新潟商业高等学校。现任富士通半导体株式会社经营推进本部财务部长代理,第二财务部长、FinancialCenter管理者、商业改革推进本部制造改革推进成员、经营管理改革推进成员。2013年1月起至今担任南通富士通微电子股份有限公司监事。
姓名:时龙兴 性别: 出生年份: 1964 教育背景: 博士
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
时龙兴:男,中国国籍,1964年出生,无境外永久居留权,工学博士、工学硕士,现任东南大学首席教授。2021年12月起至今担任公司独立董事。
姓名:曲渕景昌 性别: 出生年份: 1958 教育背景: 本科
国籍: 日本 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
曲渕景昌,男,日本国籍,1958年出生,大学学历。1981年4月入职富士通株式会社;2008年10月起至今入职富士通半导体株式会社,历任执行董事、执行董事常务、首期战略执行官(CSO)、财务总监、经营推进本部长。现任富士通半导体株式会社社长,兼任富士通电子株式会社董事、三重富士通半导体株式会社董事、会津富士通半导体株式会社董事。2014年12月起至今担任公司董事。
姓名:朱海斌 性别: 出生年份: 1970 教育背景: 大专
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
朱海斌:男,中国国籍,1970年出生,无境外永久居留权,大专学历。1995年8月至今任职于本公司,现任公司工会主席、党委副书记、第一事业部副总经理。2021年1月起至今担任公司职工代表监事。
姓名:朱红超 性别: 出生年份: 1971 教育背景: 大专
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
朱红超:男,中国国籍,1971年出生,无境外永久居留权,大专学历,高级会计师、注册会计师、注册税务师、注册资产评估师。历任江苏炜赋集团纺织品实业公司财务部会计,江苏中瑞华会计师事务所审计部主任、评估部主任,南通宏瑞联合会计师事务所审计部主任,紫罗兰家纺科技股份有限公司董事、董事会秘书、副总经理、财务总监。2014年8月至今就职于本公司,任财务总监。
姓名:李奕聪 性别: 出生年份: 1962 教育背景: 本科
国籍: 马来西亚 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
李奕聪,男,1962年出生,本科学历,马来西亚籍。2002年创建英特尔在中国首个CPU封装和测试工厂,先后在英特尔上海及成都CPU封装测试工厂担任总经理一职。2006年至2014年,担任星科金朋(上海)有限公司董事总经理;2015年出任无锡华润微电子有限公司董事长特别助理。2016年1月1日起任职于本公司,负责公司运营业务。
姓名:松尾茂 性别: 出生年份: 1963 教育背景: 本科
国籍: 日本 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
松尾茂,男,日本国籍,1963年8月出生,大学学历。1987年至1993年在富士通株式会社信息处理事业部门从事财务业务,1993年至1998年在富士通株式会社(本部)财务部门从事财务业务,1998年至1999年在富士通株式会社信息处理事业部门(长野工厂)从事财务业务,1999年至2002年在泰国FujitsuThailandCo.Ltd.从事财务业务,2002年至2004年任富士通株式会社(本部)历任财务部课长、集团经营管理部课长,2004年至2008年担任富士通株式会社电子元件部集团财务部部长,2008年至今任富士通微电子株式会社财务会计部第二财务部部长,2005年至今任南通富士通微电子股份有限公司监事。
姓名:柏木茂雄 性别: 出生年份: 1956 教育背景: 本科
国籍: 日本 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
柏木茂雄,男,日本国籍,1956年9月出生,大学学历,1979年至1991年,在富士通株式会社半导体部门从事前道工序技术开发业务。1991年至1995年,在富士通株式会社半导体部门前道工序部担任课长。1995年至2000年,在FujitsuMicroelectronics,IncGresham工厂历任制造部部长代理、部长。2000年至2005年,在富士通株式会社半导体部历任部长、统括部长代理。2005年至2007年,在岩手工厂任厂长。2007年至2010年,在富士通微电子株式会社任半导体部本部长代理,历任执行董事、事业推进部本部长兼后工程制造部本部长。现任富士通半导体株式会社任董事、执行董事常务、高端产品事业本部长。2009年12月至今,担任公司第三届董事会董事。
姓名:森雅之 性别: 出生年份: 1963 教育背景: 本科
国籍: 日本 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
森雅之,男,日本国籍,1963年出生,大学学历。2010年-2015年,历任富士通株式会社采购本部采购战略企划部部长、采购本部工程采购统括部绿色采购推进部部员、质量保证本部质量保证推进统括部员、富士通电子元器件株式会社管理本部管理推进室代理室长;2016年11月,任职富士通电子元器件(上海)有限公司历任管理部兼财务部总监;2017年5月至今,富士通电子元器件(上海)有限公司管理部兼财务部总经理。
姓名:河野通有 性别: 出生年份: 1957 教育背景: 本科
国籍: 日本 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
河野通有,男,日本国籍,1957年6月28日出生,大学毕业。1980年进入富士通株式会社。2003至2006年,在富士通株式会社半导体部门任集成电路技术部部长。2006至2007年,在富士通株式会社半导体部门任前道工序技术部统括部长。2007至2009年,在富士通株式会社任三重工厂厂长。2009年至2010年,在富士通半导体株式会社任开发制造本部副本部长。现任富士通半导体株式会社执行董事、开发制造本部副本部长。2011年4月至今,担任公司董事会董事。
姓名:浜野寿夫 性别: 出生年份: 1953 教育背景: 硕士研究生
国籍: 日本 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
浜野寿夫,男,日本国籍,1953年11月25日出生,硕士毕业。现任富士通半导体株式会社制造本部专任部长。2013年1月起至2013年6月担任本公司董事。
姓名:渡部潔 性别: 出生年份: 1955 教育背景: 本科
国籍: 日本 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
渡部潔,男,日本国籍,1955年11月1日出生,大学毕业。现任富士通半导体株式会社董事、执行董事常务、开发制造本部长、品质保证本部长、环境推进室担当。2012年4月起至今担任南通富士通微电子股份有限公司董事。
姓名:王建文 性别: 出生年份: 1974 教育背景: 博士研究生
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
王建文:男,中国国籍1974年生,博士研究生,民商法专业,现任南京大学法学院教授、博士生导师。2021年12月起至今担任公司独立董事。
姓名:王琴 性别: 出生年份: 1981 教育背景: 博士
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
王琴:女,1981年1月出生,中国国籍;中国科学院研究生院博士毕业,博士研究生学历;现任华芯投资管理有限责任公司风险部高级经理,历任中国科学院微电子研究所副研究员、产业化处副处长。2018年5月起至今担任公司监事。
姓名:石明达 性别: 出生年份: 1945 教育背景: 本科
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
石明达:男,中国国籍,1945年出生,无境外永久居留权,大学学历,教授级高级工程师。1997年10月起至今任职于公司,历任总经理、副董事长、董事长。现任公司董事长。
姓名:石磊 性别: 出生年份: 1972 教育背景: 博士
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
石磊:男,中国国籍,1972年出生,无境外永久居留权,复旦大学博士,高级工程师。2003年8月至2008年11月,担任南通华达微电子集团股份有限公司副总经理、总经理、董事、董事长。2008年4月起至今任职于公司,历任董事、总经理。现任公司副董事长、总经理。
姓名:福井明人 性别: 出生年份: 1967 教育背景: 本科
国籍: 日本 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
福井明人,男,日本国籍,1967年出生,大学学历。1991年起入职富士通株式会社电子元件部门;历任富士通半导体株式会社集团支援统括部集团支援部担当部长、经营推进本部社长室担当部长。现任富士通半导体株式会社社长室主席部长,兼任PlatformJapan株式会社董事、会津富士通半导体制造株式会社董事。2005年12月起至今担任公司董事。
姓名:章小平 性别: 出生年份: 1954 教育背景: 大专
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
章小平:男,中国国籍。1954年出生,大专学历。1997年10月起至今任职于公司,历任总务部部长、财务总监、董事、副总经理。现任公司副总经理。兼任南通华达微电子集团有限公司董事、南通金润微电子有限公司董事、南通金茂电子科技有限公司董事、南通尚明精密模具有限公司董事、南通金泰科技有限公司董事、南通通润达投资有限公司监事、南通富润达投资有限公司监事、合肥通富微电子有限公司监事、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司监事。
姓名:胡文龙 性别: 出生年份: 1964 教育背景: 硕士研究生
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
胡文龙:男,中国国籍,1964年出生,无境外永久居留权,硕士学历,高级工程师。1988年加入中国华晶电子集团公司,历任中央研究所测试工程师、MOS事业部测试工程部总监。1995年加入阿法泰克电子(上海)有限公司,担任测试经理。1998年加入金朋(上海)有限公司(2004年星科电子收购金朋(上海)有限公司,公司更名星科金朋电子有限公司),历任测试经理,总监及副总裁。2005年加入上海纪元微科电子有限公司,担任营运总监。2012年12月,FlipchipInternational并购上海纪元微科电子有限公司,2012年12月起担任上海纪元微科电子有限公司总经理。2015年4月起任职于本公司,现任合肥通富微电子有限公司董事、总经理。
姓名:花岡壽公 性别: 出生年份: 1960 教育背景: --
国籍: 日本 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
花岡壽公,男,日本国籍,1960年出生,毕业于早稻田大学。1983年4月入职富士通株式会社,历任富士通半导体株式会社经营推进本部部长、经营推进部本部经营战略室室长代理、经营推进部本部长代理、商业推进室室长;现任富士通半导体株式会社财务总监、执行董事、经营推进部本部长。兼任富士通半导体基金株式会社的企划部长、会津富士通半导体制造株式会社监事、富士通电子株式会社财务总监、执行董事常务、管理本部长、富士通电子科技(大连)有限公司董事、富士通微电子株式会社社长。2014年12月起至今担任公司监事。
姓名:范晓宁 性别: 出生年份: 1983 教育背景: 本科
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
范晓宁:男,中国国籍,1983年出生,无境外永久居留权,大学本科学历。现任华芯投资管理有限责任公司投资三部总经理,历任北京国际信托投资公司投资经理,宏源证券股份有限公司投资经理,国开金融有限公司投资经理。2018年5月起至今担任公司董事。
姓名:董云庭 性别: 出生年份: 1945 教育背景: 硕士研究生
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
董云庭,男,中国国籍,1945年4月出生,教授、博士生导师,享受政府特殊津贴。历任杭州电子工业学院副院长、中国电子工业发展规划研究院院长、电子工业部综合规划司副司长及政策研究室主任,曾在UniversityofToronto工业工程系从事研究工作。现为中国电子信息产业发展研究院战略研究中心主任、中国电子信息产业集团有限公司外部董事、云南南天信息股份有限公司独立董事、北京超图软件股份有限公司独立董事、厦门宏发电声股份有限公司独立董事;担任国务院关税税则委员会专家委员会委员、中国电子装备技术开发协会常务副理事长、中国工业经济联合会常务理事、经济论坛全国理事会理事、中国投资协会投资咨询专业委员会委员、中国工商银行信贷评估委员会委员、中国产业经济技术联合会常务理事、中国电子教育学会常务理事、中国教育发展战略研究会理事。董先生主要从事行业规划、发展战略、政策法规、产品市场、企业改革、技术创新、项目管理等方面的研究工作,曾作为中国代表团成员参加了在日内瓦举行的中国加入WTO的谈判,系产业经济资深专家。现任南通富士通微电子股份有限公司独立董事。
姓名:蒋守雷 性别: 出生年份: 1943 教育背景: 本科
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
蒋守雷,男,中国国籍,1943年出生,大学本科学历,享受政府特殊津贴,被评为有突出贡献专家。2001年4月至今担任上海市集成电路行业协会副会长兼秘书长,兼任江苏长电科技股份有限公司独立董事、无锡市太极实业股份有限公司独立董事。2009年4月起至今担任南通富士通微电子股份有限公司独立董事。
姓名:蒋澍 性别: 出生年份: 1979 教育背景: 本科
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
蒋澍:男,中国国籍,1979年出生,无境外永久居留权,本科学历。2000年8月至2011年4月就职于通富微电子股份有限公司,历任证券投资部主管、证券事务代表。2011年4月至2014年8月就职于江苏铁锚玻璃股份有限公司,任董事会秘书。2014年8月至今就职于本公司,任副总经理兼董事会秘书。
姓名:薮敬司 性别: 出生年份: 1948 教育背景: 本科
国籍: 日本 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
薮敬司,男,日本国籍,1948年3月出生,大学学历,1971年至1985年在富士通株式会社半导体部门从事前道工序开发业务,1985年至1998年在富士通株式会社半导体部门历任课长、部长、统括部长,1998年至2002年,任美国FujitsuMicroelectronicsInc.VPGresham厂长,2002年至2008年担任富士通株式会社电子元件部门主席部长、专任部长,负责中国项目,2008年至今担任富士通微电子株式会社集团支援统括部集团支援部专任部长,2002年至2008年担任南通富士通微电子股份有限公司第一届董事会和第二届董事会副董事长。现任公司第三届董事会董事。
姓名:袁学礼 性别: 出生年份: 1977 教育背景: 硕士研究生
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
袁学礼,男,中国国籍,1977年出生,无境外永久居留权,硕士研究生学历,高级会计师、管理会计师、高级国际财务管理师(SIFM),国际注册会计师(AAIA)。现任金通灵科技集团股份有限公司党委委员、财务总监,2021年1月起至今担任公司独立董事。
姓名:许居衍 性别: 出生年份: 1934 教育背景: --
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
许居衍,男,中国国籍,无境外永久居留权,生于一九三四年七月,中国工程院院士,享受政府特殊津贴。历任电子工业部第二十四研究所、无锡微电子科研中心、中国华晶电子集团公司总工程师、科技委主任,国务院电子振兴领导小组顾问、中国半导体行业协会顾问、电子工业部科技委委员。许先生长期从事半导体工程技术开发和微电子工业发展工作,是中国半导体和微电子方面的权威专家、学术带头人,曾主持完成了国家微电子工程建设可行性研究、集成电路大规模生产技术研究和关键产品开发及多项国家重大科技攻关,参与了世界银行关于中国微电子工业发展战略、国家关于建设工程研究中心等的研究,开展了微电子技术经济学研究,曾获全国科学大会奖和国家科技进步奖。2003年12月起至今担任本公司独立董事。现任本公司独立董事。
姓名:赵霞 性别: 出生年份: 1954 教育背景: 中专
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
赵霞,女,中国国籍,无境外永久居留权,生于一九五四年五月,中专学历。1970年12月起至1997年3月任职南通晶体管厂,1997年3月任职华达微,现任华达微董事、副总经理,2002年3月起至今担任本公司董事。现任本公司董事。赵霞女士在半导体生产、管理方面具有37年的工作经验。
姓名:钱建中 性别: 出生年份: 1955 教育背景: 硕士研究生
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
钱建中,男,中国国籍,1955年5月出生。学习经历:1980年9月至1983年7月,南京工学院(现东南大学)无线电工程系无线电技术大专毕业;1988年9月至1991年7月,江苏省委党校干部函授学院对外经济本科毕业;2001年至2003年攻读澳门科技大学工商管理硕士学位,通过论文答辩获得澳门科技大学颁发的工商管理硕士学位证书。2008年3月至2011年12月历任南通富士通微电子股份有限公司副总经理、董事会秘书。现任南通富士通微电子股份有限公司副总经理,董事会秘书,财务总监。
姓名:阿部一男 性别: 出生年份: 1949 教育背景: 本科
国籍: 日本 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
阿部一男,男,日本国籍,生于一九四九年十二月,大学学历。1973年4月起至今任职富士通株式会社,现任FIM常务董事。2003年9月起至今担任本公司董事。现任本公司董事。阿部一男先生在半导体生产、管理方面具有34年的工作经验。
姓名:陈学斌 性别: 出生年份: 1957 教育背景: 博士
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
陈学斌:男,中国国籍,1957年出生,无境外永久居留权,法学博士、经济学硕士,现任国浩律师(上海)事务所合伙人、一级律师、中国国际经济贸易仲裁委员会仲裁员。陈学斌先生已取得中国证监会认可的独立董事资格证书,具有履行独立董事职责的能力。2015年12月起至今担任公司独立董事。目前兼任上海海创园创业服务中心(社团)监事长。
姓名:陈良华 性别: 出生年份: 1963 教育背景: 博士后
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
陈良华,男,中国国籍,1963年12月出生,会计学博士、管理学博士后,教授、博士生导师,中国注册会计师,现为东南大学经济管理学院副院长兼会计系主任、中国会计学会理事、江苏琼花高科技股份有限公司独立董事。陈先生主要研究方向为企业财务管理、会计学,1997年曾在英国WarwickUniversity进修工商管理,曾主持国家自然科学基金“基于供应链条件下的财务信息重组研究”和多项省级课题。现任南通富士通微电子股份有限公司独立董事。
姓名:陈贤 性别: 出生年份: 1945 教育背景: 本科
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
陈贤,男,1945年12月出生,本科学历,高级工程师,国务院政府特殊津贴专家。2006年1月至2009年10月任中国半导体行业协会副秘书长;2009年10月至2013年11月任中国半导体行业协会秘书长;2013年12月起任中国半导体行业协会副理事长;气派科技股份有限公司独立董事(非上市公司)、紫光国芯股份有限公司独立董事。陈贤已取得中国证监会认可的独立董事资格证书,具有履行独立董事职责的能力。2015年4月至今担任公司独立董事。
姓名:马汉坤 性别: 出生年份: 1942 教育背景: 研究生
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
马汉坤,男,中国国籍,无境外永久居留权,1942年1月出生,研究生学历、高级工程师。1961年8月参加工作,1966年1月加入中国共产党。1994年至1998年任南通市人民政府副市长,1998年至2003年任南通市政协副主席,2005年5月退休。现为中国管理科学研究院研究员,南通市纺织工业协会名誉会长。2009年12月至2014年9月担任南通富士通微电子股份有限公司独立董事。
姓名:高峰 性别: 出生年份: 1963 教育背景: 本科
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
高峰:男,中国国籍。1963年出生,大学学历。1997年10月起至今任职于公司,历任事业推进部部长、董事、董事会秘书、副总经理。现任公司副总经理。兼任南通金润微电子有限公司董事、海耀实业有限公司董事、南通通富微电子有限公司董事、南通金泰科技有限公司董事、南通富润达投资有限公司董事、南通通润达投资有限公司董事、苏州通富超威半导体有限公司监事、江苏亿鑫通精密电子有限公司董事。
姓名:黄坤煌 性别: 出生年份: 1958 教育背景: 硕士研究生
国籍: 中国 管理层类型: -- 任职日期: -- 离职日期: --
黄坤煌,男,1958年出生,硕士学历,中国台湾籍。1985年12月至1995年8月,就职于惠普科技,担任制造业信息化、自动化资深顾问。1995年8月至2002年9月,在矽品精密股份有限公司担任总经理特别助理兼任首席信息官;2002年9月至2014年2月,担任矽品科技(苏州)有限公司行政副总;2014年2月至2015年12月,就职于江苏汇成光电,担任董事长特别助理,董秘;2015年12月7日起任职于本公司,负责公司行政管理。