HBM需求持续火爆，海力士千亿扩产DRAM
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华福电子HBM需求持续火爆，海力士千亿扩产 DRAM
🔥SK海力士今日宣布，扩建含HBM在内的DRAM产能，计划投资约5.3万亿韩元(约280亿人民币)建设M15X晶圆厂，长期总投资将超20万亿韩元(约1056亿人民币)。
存储周期转向供不应求，龙头积极扩产 调升稼动率
🔺此前周期下行，海力士暂停M15X建设。而因库存去化与HBM对产能的挤占（HBM 3E相比DDR5消耗3倍晶圆），行业逐渐转向供不应求。DRAM指数自21年年中跌价64%后，目前已底部上涨33%。NAND指数自21年年中跌价63%后，目前已底部上涨95%。
🔺海力士重启建厂，且M15X的总资本开支从此前的15增至20万亿；三星近期亦将平均稼动率调升至90%+。两大原厂积极扩产 调升稼动率，或预示对本轮复苏与HBM需求的强劲信心。
扩产正当时，HBM为重中之重
🔺公司表示新增DRAM产能，重点是HBM。目前三大原厂24年的HBM产能已经售罄，25年产能基本被预定完。
🔺由于HBM涉及TSV、多层堆叠等技术，对电镀机、键合机、环氧塑封料、前驱体等设备材料需求巨大，扩产望拉动相关需求。
行业相关公司：
- 模组：江波龙、佰维存储、德明利、香农芯创等。
- 芯片：兆易、东芯、普冉、澜起、聚辰等。
- HBM设备材料：赛腾股份、雅克科技、神工股份等 $神工股份(sh688233)$
🔥SK海力士今日宣布，扩建含HBM在内的DRAM产能，计划投资约5.3万亿韩元(约280亿人民币)建设M15X晶圆厂，长期总投资将超20万亿韩元(约1056亿人民币)。
存储周期转向供不应求，龙头积极扩产 调升稼动率
🔺此前周期下行，海力士暂停M15X建设。而因库存去化与HBM对产能的挤占（HBM 3E相比DDR5消耗3倍晶圆），行业逐渐转向供不应求。DRAM指数自21年年中跌价64%后，目前已底部上涨33%。NAND指数自21年年中跌价63%后，目前已底部上涨95%。
🔺海力士重启建厂，且M15X的总资本开支从此前的15增至20万亿；三星近期亦将平均稼动率调升至90%+。两大原厂积极扩产 调升稼动率，或预示对本轮复苏与HBM需求的强劲信心。
扩产正当时，HBM为重中之重
🔺公司表示新增DRAM产能，重点是HBM。目前三大原厂24年的HBM产能已经售罄，25年产能基本被预定完。
🔺由于HBM涉及TSV、多层堆叠等技术，对电镀机、键合机、环氧塑封料、前驱体等设备材料需求巨大，扩产望拉动相关需求。
行业相关公司：
- 模组：江波龙、佰维存储、德明利、香农芯创等。
- 芯片：兆易、东芯、普冉、澜起、聚辰等。
- HBM设备材料：赛腾股份、雅克科技、神工股份等 $神工股份(sh688233)$
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