中泰电子HBM4带来三方面变化,看好上游设备/材料!
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#事件:
据韩媒,SK海力士计划将HBM4堆栈直接放置在GPU上。

相比上一代,HBM4在以下三方面迎来大变化:
散热“存算一体”,带来散热新挑战。目前业内有两大解决方案:1)混合键合,利用硅本身的导热性,获得更好的热性能;2)加大非导电薄膜(NCF)用量。
内存接口HBM4将1024位的接口数升级到2048位。
TSVHBM4有望达到16层(现有HBM3e主要8层居多),并且TSV孔洞密度增加,带来TSV工艺量的大增。

相关标的:
混合键合拓荆科技 $拓荆科技(sh688072)$
散热材料德邦科技
内存接口芯原股份/澜起科技
TSV封测深科技/晶方科技/通富微电/长电科技/华天科技
TSV设备中微公司/北方华创/华海清科/盛美上海
TSV材料兴森科技/ 强力新材/上海新阳/飞凯材料/联瑞新材/安集科技/鼎龙股份

风险提示:HBM4技术路径变更;市场需求不及预期;国产HBM突破缓慢。