中泰电子HBM4带来三方面变化，看好上游设备/材料！[淘股吧]

#事件：
据韩媒，SK海力士计划将HBM4堆栈直接放置在GPU上。

相比上一代，HBM4在以下三方面迎来大变化：
散热“存算一体”，带来散热新挑战。目前业内有两大解决方案：1）混合键合，利用硅本身的导热性，获得更好的热性能；2）加大非导电薄膜（NCF）用量。
内存接口HBM4将1024位的接口数升级到2048位。
TSVHBM4有望达到16层（现有HBM3e主要8层居多），并且TSV孔洞密度增加，带来TSV工艺量的大增。

相关标的：
混合键合拓荆科技 $拓荆科技(sh688072)$
散热材料德邦科技
内存接口芯原股份/澜起科技
TSV封测深科技/晶方科技/通富微电/长电科技/华天科技
TSV设备中微公司/北方华创/华海清科/盛美上海
TSV材料兴森科技/ 强力新材/上海新阳/飞凯材料/联瑞新材/安集科技/鼎龙股份

风险提示：HBM4技术路径变更；市场需求不及预期；国产HBM突破缓慢。