$中电兴发(sz002298)$年报显示，永安行投资的磁存储芯片（P MRAM ）在读写次数、读写速度、低功耗以及材料制造工艺方面都有突破性进展，目前芯片电路设计团队已完成设计，等待代工厂进行第一次流片。未来，永安行将继续推动存储芯片公司开发出新的大容量产品，进入万亿级市场。