世界领先的第三代半导体氮化镓供应商---赛微电子
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$赛微电子(sz300456)$ 公司组织的项目团队掌握了国际/业界领先的第三代半导体氮化镓（GaN）从材料生长到器件设计、制造的完整高端工艺和丰富经验，拥有该亟待爆发行业的核心竞争力，致力于为面向新一代功率与微波系统应用，成为面对低成本，高频大功率应用8英寸硅基氮化镓（GaN）晶圆材料、器件供应商，并探索布局制造环节。
GaN和SiC都属于第三代半导体，在宽禁带和击穿电场方面都有相同的特性，都适合做功率电子应用，氮化镓具有高导通能力，氮化镓的异质结是碳化硅不具备的，因此，氮化镓相对碳化硅更具有速率和效率方面的优势；
另一方面碳化硅起步较早，更加成熟，有一定的成本优势，良率、热导率也会更好些，因此在超高压大功率有更强的散热优势。简单来说，在功率系统里，大于10KW以上的汽车逆变器、轨道交通、发电等应用领域，碳化硅更有优势，在10KW以下的快充、智能家电、无线充电、服务器等应用领域，氮化镓有更多的优势。
氮化镓是我国与国际半导体差距最小的分支，我国在氮化镓的起步并不晚，尤其是在LED、雷达方面国家近年来大力扶持，因此这块比较具有领先地位，在微波和功率器件方面，近几年除了国家政策的支持外，有很多国内企业向此进军，赛微电子也成立了聚能晶源和聚能创芯，在氮化镓的材料和器件升级方面已经具备了一定水平。
目前，赛微电子在8英寸外延片良率超过80%，接近90%
GaN和SiC都属于第三代半导体，在宽禁带和击穿电场方面都有相同的特性，都适合做功率电子应用，氮化镓具有高导通能力，氮化镓的异质结是碳化硅不具备的，因此，氮化镓相对碳化硅更具有速率和效率方面的优势；
另一方面碳化硅起步较早，更加成熟，有一定的成本优势，良率、热导率也会更好些，因此在超高压大功率有更强的散热优势。简单来说，在功率系统里，大于10KW以上的汽车逆变器、轨道交通、发电等应用领域，碳化硅更有优势，在10KW以下的快充、智能家电、无线充电、服务器等应用领域，氮化镓有更多的优势。
氮化镓是我国与国际半导体差距最小的分支，我国在氮化镓的起步并不晚，尤其是在LED、雷达方面国家近年来大力扶持，因此这块比较具有领先地位，在微波和功率器件方面，近几年除了国家政策的支持外，有很多国内企业向此进军，赛微电子也成立了聚能晶源和聚能创芯，在氮化镓的材料和器件升级方面已经具备了一定水平。
目前，赛微电子在8英寸外延片良率超过80%，接近90%
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1.氮化镓是是三代半导体材料，是半导体材料发展的当今顶端产品。
2.氮化镓又是三代半导体材料中因频率、频带、功率、速度等指标和成本说具有的优势对三代其他半导体材料和准三代半导体材料在5G领域的全面超越而应用最广、需求最大、潜力最大。
3.氮化镓除5G外，在其他低于50千瓦领域对碳化硅的超越。
4.氮化镓的耐压正在从200―500V向1000V发展，将逐渐取代在500―1000V耐压区间的碳化硅市场。
5.硅基氮化镓是当前氮化镓中最好（成本最低，其他指标相同）的分类品种。
6.公司的8吋硅基氮化镓外延晶圆因尺寸全球最大（当前全球最大8吋）、耐压最高（一般是209―500V，公司的是650―700V）、成本最低（接近单晶硅成本）、其他指标略高而处于国际领先水平。
7.公司已投产的8吋硅基氮化镓外延晶圆材料、即将投产（2020年）的硅基氮化镓功率芯片、开关芯片两个项目正处于5G、物联网等应用浪潮期到来的时候。
8.公司8吋硅基氮化镓外延晶圆材料和功率芯片、开关阵列芯片项目是时代财富盛宴的代表。期盼分享这一盛宴的到来。