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重庆邮电大学成功研发第三代半导体功率芯片,“中国芯”崛起有望

淘股吧: 耶稣之手   原创于 2020-11-18 15:08 只看楼主(-1)    浏览/回复693/8
庆邮电大学成功研发第三代半导体功率芯片,“中国芯”崛起有望产业嘚啵嘚发布时间:11-1716:56日前,据重庆日报报道,重庆邮电大学实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片。据悉,这款功率半导体芯片电量能节省10%以上,面积是硅芯片的1/5左右,开关速度提升10倍以上。目前,该项目已经到了试验性应用阶段,未来有望在各种电源节能领域和大数据中心使用。在中美贸易战始终处于胶着状态的背景下,半导体领域的产业链高自主、高可控仍是未来的重点方向。由于我国第三代半导体应用市场广阔,与国际巨头差距较小,且第三代半导体工艺产线对设备要求相对较低,因此其发展被寄予厚望。
[淘股吧]
政策加持 第三代半导体迎发展机遇
第三代半导体是“十四五”规划的重要发展方向,近期发布的“十四五”规划建议再度明确发展现代产业,加快第五代移动通信、工业互联网、大数据中心建设,壮大新一代信息技术等产业,以期实现产业自主可控。
此外,新基建浪潮下,第三代半导体材料成了非常重要的技术支撑。无论是5G物联网还是人工智能、数据中心等,都潜藏着海量的芯片需求。而受到国际贸易形势等因素影响,我国相关产业面临着高端芯片等核心技术受制于人的局面,迫切需要新一代半导体技术的发展与支撑。以碳化硅和氮化镓为核心材料的第三代半导体,成为继硅之后最有前景的半导体材料。

据调研机构Omdia的《2020年SiC和GaN功率半导体报告》显示,2018年,全球碳化硅)和氮化镓功率半导体的销售收入为5.71亿美元,预计到2020年底增至8.54亿美元,未来十年将保持年均两位数增长率,到2029年将超过50亿美元。

有望实现“弯道超车”
日前,在国内新一代半导体行业盛会——2020年中国宽禁带半导体技术论坛暨产业发展峰会上,国家电网全能源互联网研究院董事长滕乐天表示:“宽禁带功率半导体也是我国与发达国家差距相对较小的领域,最有机会实现功率半导体技术弯道超车,特别是实现高压大功率器件的弯道超车,使我们摆脱功率半导体中的被动局限,也能做到0到1的突破与首创。



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