在功率半导体发展历史上,功率半导体可以分为三代:
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第一代半导体材料:锗、硅等单晶半导体材料,硅拥有1.1eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。
第二代半导体材料:砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料,砷化镓拥有1.4电子伏特的禁带宽度以及比硅高五倍的电子迁移率。
第三代半导体材料:以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,有更高饱和漂移速度和更高的临界击穿电压等突出优点,适合大功率、高温、高频、抗辐照应用场合

第三代半导体材料可以满足现代社会对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求,且其拥有体积小、污染少、运行损耗低等经济和环保效益,因此第三代半导体材料正逐步成为发展的重心。当前主流的第三代半导体材料为碳化硅与氮化硅,前者多用于高压场合如智能电网、轨道交通;后者则在高频领域有更大的应用(5G等)。
碳化硅行业俨然已成为功率半导体器件行业的新战场。
华为布局碳化硅
特斯拉大功率碳化硅模块
碳化硅在新能源汽车中的应用






SiC将取代IGBT成为新能源车最佳选择



SiC器件正广泛应用于电力电子领域中,作为制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一,SiC成为实现新能源汽车最佳性能的理想选择。目前SiC器件在新能源汽车上的应用主要是功率控制单元、逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等。
相比于IGBT,SiC是更为先进的做控制器的电力电子芯片。虽然成本是IGBT的8-10倍,但SiC可以大幅度提高电机转速从而提升电机比功率,在做到高频率和高效率的同时,体积还非常小,约比IGBT小70-80%。此外,SiC还具有高频率但损耗低的优势,从而将新能源车效率再提高10%左右。这就意味着,电动车续航里程得到提升的同时,电池成本有可能大幅下降。
丰田曾经公开表示,SiC具有与汽油发动机同等的重要性。从上世纪80年代开始,丰田就在研究SiC,比国际同行提前30年。特斯拉为追求行驶里程仅5%的提升,不惜以贵几倍的代价在业界率先全面采用SiC替代IGBT,Model3的控制器就是利用的SiC材料。比亚迪也宣布将在2023年全方位采用SiC替代,预计在2025年全面用SiC取代IGBT。
根据Yole预测,2017-2023年,SiC功率器件市场将以每年31%的复合增长率增长,2023年将超过15亿美元;
而SiC行业龙头Cree则表现得更为乐观,其预计到2022年,SiC在电动车用市场空间将快速成长到24亿美元,是2017年车用SiC整体收入(700万美元)的342倍