据今日ET News消息，三星2024年计划半导体设备投资额达到27万亿韩元，同比增长25%；SK海力士则计划投资5.3万亿韩元，同比增长100%，具体投资方向上，三星电子和SK海力士正准备投资以DDR5和HBM为主的设备；同时，前者计划大规模投资3nm和2nm等超精细工艺。出货量方面，三星计划将 DRAM 与NAND产量分别较今年提高24%。SK海力士同样在谋划扩产，扩产重点将是HBM等高端DRAM产品，公司拟将DRAM产量提高到减产前水平，即去年年底前水平。[淘股吧]
此外，TrendForce数据称，智能手机商移动DRAM库存为4~6周，且NAND（eMMC、UFS）库存6~7周，预计2024年第一季DRAM和NAND闪存价格较2023年第四季上涨18%~23%。我们认为次轮周期存储涨价预期至少到明年2季度。
我们持续看好未来AI终端需求的爆发，将加大对存储器的需求，特别是AI 服务器、AI PC、AI 手机，存储的升级是必然趋势，此前美光表示，AI服务器较传统通用服务器对DRAM增扩8倍，NAND Flash增扩3倍。我们预计AIPC和AI 手机也将对内存和存储带来较大的需求提升。随着存储芯片库存去化后，随着终端需求陆续复苏，叠加AI应用爆发，24年存储器有望迎来“量价齐升”。
投资建议：持续看好。1）HBM方向，搭载HBM3E的第二代GH200及MI300X发布，看好HBM需求倍增为存储芯片产业带来的巨大增量空间，重点关注：香农芯创、深科技、联瑞新材。2）存储器持续涨价，看好国产模组及SSD，江波龙、德明利、佰维存储等；3）长存、长鑫扩产，看好国内存储封测标的深科技、通富微电等；4）存储芯片国产替代，及AI手机及AIPC带动新增需求，看好澜起科技、兆易创新、东芯股份、聚辰股份等。 $东芯股份(sh688110)$