5G全球总龙头海特高新凌空出世
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国产5G通信基站GaN（氮化镓）功率放大器芯片，在中国发明成果转化研究院展区对外亮相。该研究院有关负责人透露，GaN芯片已完成多款产品设计，并已获得中电集团客户认证成功，计划2019年正式推出，将可全面满足中国5G通信基站对射频功率放大器的需求。GaN是第三代半导体的代表材料。采用GaN的微波射频器件目前主要用于军事领域及4G/5G通讯基站应用场景，出于军事安全的考量，国外对高性能的氮化镓器件实行对华禁运。因此，发展自主GaN射频功放产业，对于打破国外垄断具有重要的意义。
A股上市公司中，海特高新（002023）旗下的海威华芯建立了国内第一条6英寸砷化镓/氮化镓半导体晶圆生产线，规划总投资20亿元加码产业化。
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海陆重工（ 002255 ）贵司持有江苏能华微电子科技发展有限公司10.23%的股份，属可供出售金融资产.
瑞丰光电（ 300240 ）公司独立董事刘召军博士及其团队多项研究成果世界领先，其中包括世界首创氮化镓HEMT与Micro-LED同质集成技术。
刘博士投入Mini/Micro-LED领域技术研究10余年，其团队已经研发了11代Micro-LED技术。目前发表杂志及国际会议论文80余篇，申请美国专利12项，授权7项，申请中国专利80余项，授权20余项。