德美化工：第三代半导体材料+猪肉+参股券商+创投
展开
碳化硅VS氮化镓 谁牛逼 一个新材料 一个旧材料 碳化硅完爆氮化镓！
第三代半导体材料—宽禁带半导体材料
当前，电子器件的使用条件越来越恶劣，要适应高频、大功率、耐高温、抗辐照等特殊环境。为了满足未来电子器件需求，必须采用新的材料，以便最大限度地提高电子元器件的内在性能。近年来，新发展起来了第三代半导体材料 -- 宽禁带半导体材料，该类材料具有热导率高、电子饱和速度高、击穿电压高、介电常数低等特点，这就从理论上保证了其较宽的适用范围。目前，由其制作的器件工作温度可达到 600 ℃以上、抗辐照 1×106 rad；小栅宽 GaN HEMT 器件分别在 4 GHz 下，功率密度达到 40 W/mm；在 8 GHz，功率密度达到 30 W/mm；在 18 GHz，功率密度达到 9.1 W/mm；在 40 GHz，功率密度达到 10.5 W/mm；在 80.5 GHz，功率密度达到 2.1 W/mm，等。因此，宽禁带半导体技术已成为当今电子产业发展的新型动力。
进入 21 世纪以来，随着摩尔定律的失效大限日益临近，寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后，有两位脱颖而出，它们就是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)——并称为第三代半导体材料的双雄。
话题与分类：
主题股票：
主题概念：
声明：遵守相关法律法规，所发内容承担法律责任，倡导理性交流，远离非法证券活动，共建和谐交流环境！
当前，电子器件的使用条件越来越恶劣，要适应高频、大功率、耐高温、抗辐照等特殊环境。为了满足未来电子器件需求，必须采用新的材料，以便最大限度地提高电子元器件的内在性能。近年来，新发展起来了第三代半导体材料 -- 宽禁带半导体材料，该类材料具有热导率高、电子饱和速度高、击穿电压高、介电常数低等特点，这就从理论上保证了其较宽的适用范围。目前，由其制作的器件工作温度可达到 600 ℃以上、抗辐照 1×106 rad；小栅宽 GaN HEMT 器件分别在 4 GHz 下，功率密度达到 40 W/mm；在 8 GHz，功率密度达到 30 W/mm；在 18 GHz，功率密度达到 9.1 W/mm；在 40 GHz，功率密度达到 10.5 W/mm；在 80.5 GHz，功率密度达到 2.1 W/mm，等。因此，宽禁带半导体技术已成为当今电子产业发展的新型动力。
［图片］ ［图片］ 第三代半导体材料+猪肉+参股券商+创投
下午开盘观察看看
剑兄 什么时候有空一起喝喝茶 我做东
位置不错，买了点？
猪肉涨价了
我也买了一点，不知道会怎么样
应该股价会有表现了，低位好票